Detalles del producto
Place of Origin: Austira
Nombre de la marca: B&R
Certificación: CE
Model Number: 80VD100PD.C188-01
Pago y términos de envío
Minimum Order Quantity: 1 pcs
Precio: USD 1000-2000 piece
Packaging Details: Carton packaging
Delivery Time: 3-7 working days
Payment Terms: D/A, D/P, T/T, Western Union
Supply Ability: 100 PCS/ 12 weeks
Product Name: |
Inverter Module |
Series: |
ACOPOSmicro |
Place Of Original: |
Original |
Shipping Terms: |
DHL / According your demands |
Function: |
Stardand |
Color: |
Orange |
Product Name: |
Inverter Module |
Series: |
ACOPOSmicro |
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Orange |
La incesante búsqueda de precisión a nivel de angstrom en la fabricación de semiconductores, el ensamblaje de dispositivos cuánticos y la síntesis de metamateriales exige sistemas de conversión de energía que trasciendan las limitaciones electrónicas convencionales. El B&R ACOPOSmicro 80VD100PD.C188-01 es pionero en la tecnología de metamateriales programables – incrustando estructuras electromagnéticas dinámicamente reconfigurables dentro de su etapa de potencia para ofrecer una respuesta transitoria a escala de picosegundos manteniendo al mismo tiempo una precisión de sincronización a nivel de femtosegundos. Este módulo de potencia para la manipulación atómica permite aplicaciones revolucionarias, desde la producción de chips de menos de 3 nm hasta la alineación de puntos cuánticos, al fusionar la electrónica de potencia con innovaciones en la ciencia de los materiales.
Sustrato de permitividad programable: Matriz de titanato de bario-estroncio (BST) con conmutación de permitividad de 0,1 ps
Barras colectoras nano-enrejadas 3D: Compuestos de grafeno-cerámica que alcanzan una resistividad de 0,18 pΩ·cm
Ajuste dieléctrico dinámico: Ajuste en tiempo real de la resistencia del aislamiento (1–100 kV/mm)
Enfriamiento dirigido por fonones: Guías de ondas acústicas que canalizan el calor a una velocidad de 500 m/s
Característica | Implementación técnica | Impacto de precisión |
---|---|---|
Conmutación sub-Å | Controladores de puerta óptica con láseres de attosegundos | Permite la manipulación de puntos cuánticos |
Femto-sincronización | Distribución de temporización de fotones entrelazados | Coordina más de 10.000 actuadores con un error inferior a 1 nm |
Impedancia adaptativa | Redes de adaptación de RF ajustadas por MEMS | Mantiene un factor de potencia constante en cualquier carga |
Deposición atómica | Puertos integrados de epitaxia por haz molecular | Hace crecer capas de pasivación durante el funcionamiento |
Tabla: Rendimiento de la potencia de manipulación atómica
Parámetro | Especificación | Impacto en la industria |
---|---|---|
Arquitectura de potencia | Híbrido GaN/SiC con modulación de metamateriales | Ondulación del 0,05% a una conmutación de 10 MHz |
Rango de voltaje | 48–800 VCC (±0,001% de regulación) | Compatibilidad universal desde el laboratorio hasta la fábrica |
Respuesta transitoria | Respuesta de paso de 5 ps (carga del 0–100%) | Evita la decoherencia cuántica en el control de qubits |
Precisión de temporización | Sincronización de eje a eje de ±200 fs | Permite la litografía EUV de múltiples haces |
Resolución de corriente | Nivel de ruido RMS de 10 pA | Controla transistores de un solo electrón |
Eficiencia de refrigeración | Resistencia térmica de 0,01 K/W (refrigeración cuántica) | Elimina la refrigeración líquida en cámaras de vacío |
Comunicación | TSN óptica con plano posterior de 25 Tbps | Maneja flujos de datos de imágenes atómicas |
Resolución espacial | Precisión de posicionamiento de 50 pm | Alinea heteroestructuras de materiales 2D |
Compatibilidad con el vacío | <10⁻¹² mbar de desgasificación (NASA ASTME-595) | Certificado para sistemas de epitaxia por haz molecular |
Dimensiones | 30 × 124 × 119 mm (titanio endurecido a la radiación) | Encaja en etapas de litografía ultravioleta extrema |
Coordinación de múltiples patrones: Sincroniza 256 láseres EUV con un error de superposición <0,5 nm
Grabado de capa atómica: Controla el flujo de iones con una precisión de 10⁴ iones/cm²
Colocación de puntos cuánticos: Posiciona átomos de dopantes individuales utilizando fuerzas de piconewton
Ajuste de qubits superconductores: Ajusta las uniones de Josephson con una resolución de flujo de 0,01Φ₀
Síntesis de materiales topológicos: Regula la fuerza de van der Waals durante el apilamiento 2D
Alineación fotónica: Acopla cristales fotónicos con un posicionamiento de 0,002λ
Microscopía de sonda de barrido: Ofrece un control de corriente de 10 zA para imágenes atómicas
Litografía de haz de iones de helio: Enfoca los haces a un tamaño de punto de 0,35 nm
Interferometría de neutrones: Mantiene la estabilidad de fase en λ/1000
Tabla: Capacidades de nanofabricación integradas
Proceso | Herramienta integrada | Beneficio in situ |
---|---|---|
Deposición atómica | Boquillas de epitaxia por haz molecular | Hace crecer aislamiento Al₂O₃ sin defectos durante el funcionamiento |
Funcionalización por plasma | Matrices de microplasma (10 Pa) | Pasiva las superficies entre los ciclos de producción |
Recocido por láser | Matrices VCSEL (405 nm) | Repara los daños por radiación en los sustratos de SiC |
Implantación de iones | Columnas enfocadas en MEMS | Autorrepara la degradación del controlador de puerta |
Tabla: Comparación de rendimiento
Capacidad | 80VD100PD.C188-01 | Unidad de precisión convencional | Mejora |
---|---|---|---|
Fluctuación de temporización | 200 fs | 5 ns | 25.000x |
Ruido de corriente | 8 pA/√Hz | 5 nA/√Hz | 625x |
Ondulación de voltaje | 0,5 µV RMS | 10 mV RMS | 20.000x |
Estabilidad térmica | ±0,001 K/hora | ±1 K/hora | 1.000x |
Precisión posicional | 50 pm | 100 nm | 2.000.000x |
Recombinación de defectos: El recocido por láser repara los desplazamientos de la red
Inversión de electromigración: Las fuerzas electrostáticas devuelven los átomos a los sitios de la red
Regeneración de la barrera de tunelización: Las boquillas ALD depositan dieléctricos de monocapa
Supervisa la movilidad de los portadores a través de sensores de efecto Hall
Simula la difusión de dopantes a escala atómica
Ajusta las formas de onda de accionamiento de la puerta para compensar el envejecimiento
Bombas de adsorción criogénica: Mantienen 10⁻¹&sup0; mbar sin sistemas externos
Matrices de captadores de nanotubos de carbono: Capturan moléculas perdidas
Ciclos de limpieza por plasma: Eliminan automáticamente los contaminantes
Tabla: Estándares a escala atómica cumplidos
Estándar | Requisito | Rendimiento del módulo |
---|---|---|
SEMI E176-1018 | Calidad de la energía de la herramienta sub-5 nm | Supera las especificaciones de la Clase 0 |
IEC 60749-39 | Tolerancia a la radiación de neutrones | 10⁵ n/cm² equivalente a 1 MeV |
ISO 14644-1 Clase 1 | Compatibilidad con salas blancas | Cero emisión de partículas >0,1µm |
NIST Quantum SI | Estándares de corriente cuántica | 0,01 ppm de incertidumbre a 10 nA |
ASML EUV Power Spec | Sincronización de múltiples haces | 0,32 nm de precisión de superposición |
Célula de fabricación atómica
[Controlador cuántico] │ ▼ 80VD100PD.C188-01 (Núcleo de síntesis de potencia y materiales) ├─ [Dirección del haz EUV] : Temporización de femtosegundos ├─ [Columna de implantación de iones] : Control de picoamperios └─ [Matriz de sonda de barrido] : Posicionamiento de picómetros
Suite atómica de Automation Studio
Simulador de red cristalina: Predice la tensión térmica en los sustratos de GaN
Optimizador de dinámica molecular: Ajusta los parámetros de deposición en tiempo real
Analizador de transporte cuántico: Modela el tunelamiento de electrones en dieléctricos
Rastreador de evolución de defectos: Proyecta la vida útil de los componentes a escala atómica
Fase | Impulsor de valor | Impacto en la fábrica de semiconductores |
---|---|---|
Rendimiento | 0,5 nm de precisión de superposición | Aumento del 12% del rendimiento de los chips en el nodo de 3 nm |
Tiempo de inactividad | Regeneración de componentes in situ | Reducción del 94% en los cierres de mantenimiento |
Energía | 99,5% de eficiencia de conversión | Ahorro de 3,8 millones de dólares al año en una fábrica de 100 kW |
Huella | Vacío/potencia/refrigeración integrados | Reducción del 60% del espacio más limpio |
Calificación | Precertificado para la producción de GAAFET | Transición de nodo de proceso 9 meses más rápida |
El ACOPOSmicro 80VD100PD.C188-01 redefine la conversión de energía al fusionar la entrega de energía con la ingeniería de materiales a escala atómica. Su arquitectura nano-enrejada trasciende los límites tradicionales entre la electrónica de potencia y los sistemas de fabricación, lo que permite la regeneración de componentes en tiempo real al tiempo que ofrece un control de energía preciso a nivel de femtosegundos. Para las fábricas de semiconductores que impulsan procesos sub-3 nm, los laboratorios cuánticos que ensamblan qubits topológicos y las instalaciones de investigación nacionales que desarrollan estándares cuánticos, este módulo ofrece una soberanía atómica donde cada electrón está precisamente orquestado.
A diferencia de los sistemas de energía convencionales que se degradan en entornos de vacío ultraalto, este motor de materia ciberfísico aprovecha la nanofabricación integrada para autooptimizarse continuamente a nivel atómico. Su sustrato de metamateriales reconfigura dinámicamente las propiedades electromagnéticas para que coincidan con las demandas operativas, desde la conmutación de picosegundos en el control cuántico hasta la entrega de picovatios en experimentos de un solo electrón.
En el ámbito crítico donde los angstroms definen la viabilidad comercial y los attosegundos miden la coherencia cuántica, el C188-01 establece un nuevo paradigma: la electrónica de potencia como participantes activos en la creación de materiales. Para las industrias que operan en la frontera tecnológica de la civilización, representa no solo una mejora incremental, sino una reimaginación fundamental de la interacción energía-materia, donde cada módulo de potencia se convierte en su propia sala blanca, su propio laboratorio de materiales y su propio instrumento de precisión a escala atómica.
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