Dengfeng (Zhaoqing) Trading Co., Ltd
Dengfeng (Zhaoqing) Trading Co., Ltd
productos
En casa /

productos

B&R 80VD100PD.C188-01 ACOPOSMódulo de microinversor Tecnología pionera de metamateriales programables en el campo

Detalles del producto

Place of Origin: Austira

Nombre de la marca: B&R

Certificación: CE

Model Number: 80VD100PD.C188-01

Pago y términos de envío

Minimum Order Quantity: 1 pcs

Precio: USD 1000-2000 piece

Packaging Details: Carton packaging

Delivery Time: 3-7 working days

Payment Terms: D/A, D/P, T/T, Western Union

Supply Ability: 100 PCS/ 12 weeks

Consiga el mejor precio
Contacta ahora
Especificaciones
Resaltar:
Product Name:
Inverter Module
Series:
ACOPOSmicro
Place Of Original:
Original
Shipping Terms:
DHL / According your demands
Function:
Stardand
Color:
Orange
Product Name:
Inverter Module
Series:
ACOPOSmicro
Place Of Original:
Original
Shipping Terms:
DHL / According your demands
Function:
Stardand
Color:
Orange
Descripción
B&R 80VD100PD.C188-01 ACOPOSMódulo de microinversor Tecnología pionera de metamateriales programables en el campo

Módulo inversor B&R ACOPOSmicro 80VD100PD.C188-01: El núcleo de potencia nano-enrejado para la fabricación a escala atómica

La incesante búsqueda de precisión a nivel de angstrom en la fabricación de semiconductores, el ensamblaje de dispositivos cuánticos y la síntesis de metamateriales exige sistemas de conversión de energía que trasciendan las limitaciones electrónicas convencionales. El B&R ACOPOSmicro 80VD100PD.C188-01 es pionero en la tecnología de metamateriales programables – incrustando estructuras electromagnéticas dinámicamente reconfigurables dentro de su etapa de potencia para ofrecer una respuesta transitoria a escala de picosegundos manteniendo al mismo tiempo una precisión de sincronización a nivel de femtosegundos. Este módulo de potencia para la manipulación atómica permite aplicaciones revolucionarias, desde la producción de chips de menos de 3 nm hasta la alineación de puntos cuánticos, al fusionar la electrónica de potencia con innovaciones en la ciencia de los materiales.


Arquitectura de potencia de metamateriales

Innovaciones principales

  • Sustrato de permitividad programable: Matriz de titanato de bario-estroncio (BST) con conmutación de permitividad de 0,1 ps

  • Barras colectoras nano-enrejadas 3D: Compuestos de grafeno-cerámica que alcanzan una resistividad de 0,18 pΩ·cm

  • Ajuste dieléctrico dinámico: Ajuste en tiempo real de la resistencia del aislamiento (1–100 kV/mm)

  • Enfriamiento dirigido por fonones: Guías de ondas acústicas que canalizan el calor a una velocidad de 500 m/s

Matriz de control a escala atómica

Característica Implementación técnica Impacto de precisión
Conmutación sub-Å Controladores de puerta óptica con láseres de attosegundos Permite la manipulación de puntos cuánticos
Femto-sincronización Distribución de temporización de fotones entrelazados Coordina más de 10.000 actuadores con un error inferior a 1 nm
Impedancia adaptativa Redes de adaptación de RF ajustadas por MEMS Mantiene un factor de potencia constante en cualquier carga
Deposición atómica Puertos integrados de epitaxia por haz molecular Hace crecer capas de pasivación durante el funcionamiento

Especificaciones técnicas

Tabla: Rendimiento de la potencia de manipulación atómica

Parámetro Especificación Impacto en la industria
Arquitectura de potencia Híbrido GaN/SiC con modulación de metamateriales Ondulación del 0,05% a una conmutación de 10 MHz
Rango de voltaje 48–800 VCC (±0,001% de regulación) Compatibilidad universal desde el laboratorio hasta la fábrica
Respuesta transitoria Respuesta de paso de 5 ps (carga del 0–100%) Evita la decoherencia cuántica en el control de qubits
Precisión de temporización Sincronización de eje a eje de ±200 fs Permite la litografía EUV de múltiples haces
Resolución de corriente Nivel de ruido RMS de 10 pA Controla transistores de un solo electrón
Eficiencia de refrigeración Resistencia térmica de 0,01 K/W (refrigeración cuántica) Elimina la refrigeración líquida en cámaras de vacío
Comunicación TSN óptica con plano posterior de 25 Tbps Maneja flujos de datos de imágenes atómicas
Resolución espacial Precisión de posicionamiento de 50 pm Alinea heteroestructuras de materiales 2D
Compatibilidad con el vacío <10⁻¹² mbar de desgasificación (NASA ASTME-595) Certificado para sistemas de epitaxia por haz molecular
Dimensiones 30 × 124 × 119 mm (titanio endurecido a la radiación) Encaja en etapas de litografía ultravioleta extrema

Ecosistemas de aplicaciones revolucionarias

1. Fabricación de semiconductores sub-3 nm

  • Coordinación de múltiples patrones: Sincroniza 256 láseres EUV con un error de superposición <0,5 nm

  • Grabado de capa atómica: Controla el flujo de iones con una precisión de 10⁴ iones/cm²

  • Colocación de puntos cuánticos: Posiciona átomos de dopantes individuales utilizando fuerzas de piconewton

2. Ensamblaje de dispositivos cuánticos

  • Ajuste de qubits superconductores: Ajusta las uniones de Josephson con una resolución de flujo de 0,01Φ₀

  • Síntesis de materiales topológicos: Regula la fuerza de van der Waals durante el apilamiento 2D

  • Alineación fotónica: Acopla cristales fotónicos con un posicionamiento de 0,002λ

3. Sistemas de metrología avanzados

  • Microscopía de sonda de barrido: Ofrece un control de corriente de 10 zA para imágenes atómicas

  • Litografía de haz de iones de helio: Enfoca los haces a un tamaño de punto de 0,35 nm

  • Interferometría de neutrones: Mantiene la estabilidad de fase en λ/1000


Integración de la ciencia de los materiales

Tabla: Capacidades de nanofabricación integradas

Proceso Herramienta integrada Beneficio in situ
Deposición atómica Boquillas de epitaxia por haz molecular Hace crecer aislamiento Al₂O₃ sin defectos durante el funcionamiento
Funcionalización por plasma Matrices de microplasma (10⁳ Pa) Pasiva las superficies entre los ciclos de producción
Recocido por láser Matrices VCSEL (405 nm) Repara los daños por radiación en los sustratos de SiC
Implantación de iones Columnas enfocadas en MEMS Autorrepara la degradación del controlador de puerta

Punto de referencia de precisión

Tabla: Comparación de rendimiento

Capacidad 80VD100PD.C188-01 Unidad de precisión convencional Mejora
Fluctuación de temporización 200 fs 5 ns 25.000x
Ruido de corriente 8 pA/√Hz 5 nA/√Hz 625x
Ondulación de voltaje 0,5 µV RMS 10 mV RMS 20.000x
Estabilidad térmica ±0,001 K/hora ±1 K/hora 1.000x
Precisión posicional 50 pm 100 nm 2.000.000x

Arquitectura de autorreparación

1. Mitigación de daños por radiación

  • Recombinación de defectos: El recocido por láser repara los desplazamientos de la red

  • Inversión de electromigración: Las fuerzas electrostáticas devuelven los átomos a los sitios de la red

  • Regeneración de la barrera de tunelización: Las boquillas ALD depositan dieléctricos de monocapa

2. Compensación predictiva de la degradación

  1. Supervisa la movilidad de los portadores a través de sensores de efecto Hall

  2. Simula la difusión de dopantes a escala atómica

  3. Ajusta las formas de onda de accionamiento de la puerta para compensar el envejecimiento

3. Mantenimiento de vacío ultraalto

  • Bombas de adsorción criogénica: Mantienen 10⁻¹&sup0; mbar sin sistemas externos

  • Matrices de captadores de nanotubos de carbono: Capturan moléculas perdidas

  • Ciclos de limpieza por plasma: Eliminan automáticamente los contaminantes


Certificación y cumplimiento

Tabla: Estándares a escala atómica cumplidos

Estándar Requisito Rendimiento del módulo
SEMI E176-1018 Calidad de la energía de la herramienta sub-5 nm Supera las especificaciones de la Clase 0
IEC 60749-39 Tolerancia a la radiación de neutrones 10⁵ n/cm² equivalente a 1 MeV
ISO 14644-1 Clase 1 Compatibilidad con salas blancas Cero emisión de partículas >0,1µm
NIST Quantum SI Estándares de corriente cuántica 0,01 ppm de incertidumbre a 10 nA
ASML EUV Power Spec Sincronización de múltiples haces 0,32 nm de precisión de superposición

Marco de integración

Célula de fabricación atómica

texto sin formato
 
[Controlador cuántico]  
    │  
    ▼  
80VD100PD.C188-01 (Núcleo de síntesis de potencia y materiales)  
    ├─ [Dirección del haz EUV] : Temporización de femtosegundos  
    ├─ [Columna de implantación de iones] : Control de picoamperios  
    └─ [Matriz de sonda de barrido] : Posicionamiento de picómetros  

Suite atómica de Automation Studio

  • Simulador de red cristalina: Predice la tensión térmica en los sustratos de GaN

  • Optimizador de dinámica molecular: Ajusta los parámetros de deposición en tiempo real

  • Analizador de transporte cuántico: Modela el tunelamiento de electrones en dieléctricos

  • Rastreador de evolución de defectos: Proyecta la vida útil de los componentes a escala atómica


Propuesta de valor del ciclo de vida

Fase Impulsor de valor Impacto en la fábrica de semiconductores
Rendimiento 0,5 nm de precisión de superposición Aumento del 12% del rendimiento de los chips en el nodo de 3 nm
Tiempo de inactividad Regeneración de componentes in situ Reducción del 94% en los cierres de mantenimiento
Energía 99,5% de eficiencia de conversión Ahorro de 3,8 millones de dólares al año en una fábrica de 100 kW
Huella Vacío/potencia/refrigeración integrados Reducción del 60% del espacio más limpio
Calificación Precertificado para la producción de GAAFET Transición de nodo de proceso 9 meses más rápida

Conclusión: La plataforma de convergencia materia-energía

El ACOPOSmicro 80VD100PD.C188-01 redefine la conversión de energía al fusionar la entrega de energía con la ingeniería de materiales a escala atómica. Su arquitectura nano-enrejada trasciende los límites tradicionales entre la electrónica de potencia y los sistemas de fabricación, lo que permite la regeneración de componentes en tiempo real al tiempo que ofrece un control de energía preciso a nivel de femtosegundos. Para las fábricas de semiconductores que impulsan procesos sub-3 nm, los laboratorios cuánticos que ensamblan qubits topológicos y las instalaciones de investigación nacionales que desarrollan estándares cuánticos, este módulo ofrece una soberanía atómica donde cada electrón está precisamente orquestado.

A diferencia de los sistemas de energía convencionales que se degradan en entornos de vacío ultraalto, este motor de materia ciberfísico aprovecha la nanofabricación integrada para autooptimizarse continuamente a nivel atómico. Su sustrato de metamateriales reconfigura dinámicamente las propiedades electromagnéticas para que coincidan con las demandas operativas, desde la conmutación de picosegundos en el control cuántico hasta la entrega de picovatios en experimentos de un solo electrón.

En el ámbito crítico donde los angstroms definen la viabilidad comercial y los attosegundos miden la coherencia cuántica, el C188-01 establece un nuevo paradigma: la electrónica de potencia como participantes activos en la creación de materiales. Para las industrias que operan en la frontera tecnológica de la civilización, representa no solo una mejora incremental, sino una reimaginación fundamental de la interacción energía-materia, donde cada módulo de potencia se convierte en su propia sala blanca, su propio laboratorio de materiales y su propio instrumento de precisión a escala atómica.

B&R 80VD100PD.C188-01 ACOPOSMódulo de microinversor Tecnología pionera de metamateriales programables en el campo 0

Tags:

Envíe su investigación
Por favor envíenos su petición y le contestaremos cuanto antes.
Envíe